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초순수 TOC제거율이 개선된 역삼투막의 개발
학술지명 환경공학회 저자 권병수,변광수
발표일 2019-06-28

반도체 고용량 고집적화에 따른 패터닝의 미세화가 가속화되고 있으며 이에 따라 초순수의 수질기준이 더욱 엄격해지고 있다. 예를 들어, ITRS에서 분류한 E1-3단계의 1Gb D램은 선폭이 0.065~0.032㎛가 되고 있고 TOC, Silica, Ions, Metals 등 다양한 오염원의 완벽한 제거를 통해 높은 수질조건을 구현하려하고 있다. 한편, 전기화학적 공정도입과 폐수재이용 등의 산업추세에 따라 향후 공정단순화시 역삼투막의 탁월한 제거성능이 더욱 요구되고 있다. 역삼투압(RO) 여과공정은 초순수제조의 핵심부분으로서 그 중요성이 더욱 높아지고 있다. 반도체기술 트렌드 변화로 인해 새로운 고성능 제품이 계속 요구되고 있으며, 이는 보수적인 반도체 시장으로 진입기회가 될 수 있다. 이를 위해 국내에서 생산되는 막을 사용하여 실증플랜트 운영기술을 확보하는데 의미가 있다. 동시에 신규 막검증을 성공적으로 이룬다면 수입대체 뿐만 아니라 수출경쟁력을 높이는 기회를 확보할 수 있다. 맞춤형 고순도 공업용수 사업에 대한 사회인식의 변화를 창조하는 기회가 될 것이며, 다양한 수자원의 형태를 인식하는 토대가 될 것이다. 초순수용 TOC제거율을 높이기 위해 RO막을 개발하고 TOC에 대해서는 IPA 제거율을 평가하여 분석예정이다. 또한 막 설치 후 용출도를 평가하기 위해 TOC rinse time을 분석 예정이다.

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