초순수는 반도체 등 첨단산업에 필수적으로 사용되는 원자재로 반도체 산업 성장에 따른 초순수 사용량은 지속적으로 높아지고 있으나, 국내에는 초순수 공정을 진단하고 핵심 부품을 검증할 극미량 분석기술이 없어 초순수 산업의 기술자립과 발전이 저해되고 있다.
초순수에 존재하는 음이온은 Wafer 표면에서 누설 전류 증가 및 소자의 절연성 저하 등 반도체의 성능과 안정성에 치명적인 영향을 미친다. 반도체용 초순수의 수질 요건(ASTM D5127-13, 2018)에서는 이온류 농도를 50 ng/L 이하, International Roadmap for Devices and Systems(IRDS, 2024)에서는 10 ng/L 이하로 설정하고 있다. 실제 최신 반도체 제조공정에서는 이보다 더 낮은 기준을 요구하고 있으며, 이로 인해 현장에서는 신뢰성 있는 극미량 분석기술이 요구되고 있다. 본 연구에서는 이온크로마토그래프(IC)를 이용하여 50 ng/L 이하 수준의 분석을 위한 농축 및 기기 조건을 최적화하고 분석 시 오염 제어 방안을 모색하고자 하였다.